TSMCのA13・A12製造プロセス、29年量産へ【図表】

　ファウンドリー最大手、台湾積体電路製造（TSMC）は米国時間22日、カリフォルニア州で開催した技術フォーラムで、2029年に1.3ナノメートル製造プロセスに相当する「A13」製造プロセスで量産を開始する予定と発表した。次世代のAI（人工知能）やハイパフォーマンス・コンピューティング（高性能計算、HPC）需要に対応する。続いて、バックサイド・パワーレール（裏面電源配線）を採用する「A12」（1.2ナノ相当）も29年に量産する予定など、新技術のロードマップを公表した。経済日報電子版などが伝えた。

　TSMCのA13は、28年に量産開始予定のA14（1.4ナノ相当）と比べ、同等の性能で、面積を6％縮小でき、電力効率と性能の向上を実現する。

　魏哲家（シーシー・ウェイ）董事長は、TSMCは先進製造プロセスの密度、性能、効率で、業界をリードしており、これからも顧客の製品を支援し、信頼できる技術パートナーであり続けると述べた。

　TSMCは今年下半期（7～12月）に、A16（1.6ナノ相当）や2ナノの強化版のN2Pで量産に入る予定だ。

　また、28年にN2Uで生産を開始する予定だ。N2UはN2Pと比べ、処理速度は3～4％向上し、トランジスタ密度は2～3％向上した。電力消費は8～10％低減した。AIやHPC、モバイル向けだ。

■先進封止も

　先進パッケージング（封止）技術、チップ・オン・ウエハー・オン・サブストレート（CoWoS、コワース）は、大型ロジックダイ10個と超高速DRAMのHBM（高帯域幅メモリー）を20個を集積できる技術を28年に開始する予定だ。29年には強化版をリリースする予定だ。

　シリコンフォトニクス（光電融合、SiPh）実装技術「COUPE（クープ、COmpact Universal Photonic Engine）」は年内に量産を開始する予定だ。従来より電力効率を2倍に、遅延（レイテンシー）を90％低減させる。既にデータセンターの200ギガビット毎秒（Gbps）のマイクロリング変調器（MRM）に採用されている。

　TSMCはこのほか、車載用向け新技術「N2A」を発表した。28年に検証が完了する予定だ。

■29年に米国で封止工場

　ロイター通信によると、TSMCの張暁強（ケビン・ジャン）シニア副総経理兼副共同営運長（共同最高執行責任者、Co-COO）は、29年までに米国アリゾナ州でCoWoSや3次元（3D）ICを採用する封止工場を建設する計画だと明かした。封止工場の建設は既に始まっているという。

　TSMCは米国でアップルやグラフィックスプロセッサー（GPU）大手、エヌビディア向けに半導体を生産しているが、台湾に輸送して封止する必要がある。

　このほか張・副共同営運長は、TSMCは29年末まで、オランダの半導体製造装置大手、ASMLの高NA（開口数）「High-NA」極端紫外線（EUV）露光装置を調達する計画はないと説明した。価格が非常に高く、当面は既存のEUVで対応できると述べた。

　高NA EUV露光装置の価格は、3億5000万ユーロ（約650億円）以上とされる。

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