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サムスン大規模スト懸念、南亜科技などに転注か【図表】(トップニュース)


ニュース 電子 作成日:2026年5月14日_記事番号:T00128451

サムスン大規模スト懸念、南亜科技などに転注か【図表】(トップニュース)

 半導体メモリー大手、韓国のサムスン電子の労使交渉が13日に決裂し、21日から18日間、従業員4万人が参加する大規模なストライキが繰り広げられる可能性が高まっている。スト決行でメモリー生産が中断すれば、供給不足が深刻化し、メモリー価格がさらに上昇する恐れがある。台湾のDRAM最大手、南亜科技(ナンヤ・テクノロジー)や華邦電子(ウィンボンド・エレクトロニクス)などは受注が増えるとみられている。14日付経済日報などが報じた。

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 証券会社は、特にAI(人工知能)サーバー向けDRAMはもともと需給が逼迫(ひっぱく)しており、サムスンの供給の不確実性が高まれば、顧客は調達を急ぎ、価格が押し上げられると予測した。

 南亜科技は近年、DDR5や広帯域メモリーに注力しており、ウィンボンドはスペシャリティ(特定用途)DRAMやNOR型フラッシュメモリーの需要が多かった。業界では、サムスンの供給不安で、南亜科技やウィンボンドは受注が増え、オファー価格が急上昇するとみられている。

■DDR4価格、20%上昇

 中国広東省深圳市にある世界最大の電気街、華強北(ホアチャンベイ)で取引される半導体メモリーの価格情報サイト、CFM閃存市場(チャイナ・フラッシュ・マーケット)が12日に公開した情報によると、今週の3200メガヘルツ(MHz)の8ギガバイト(GB)DDR4のスポット価格は18米ドルで前週比20%上昇した。

 DDR4は南亜科技やウィンボンドなどメモリーメーカーの主力製品だ。

 サーバー向けDDR5の5月価格は、64GBのRDIMM(レジスタードDIMM)が前月比11%上昇の1350米ドルで、96GBのRDIMMは10%上昇の2180米ドルだった。AIサーバー需要が依然強いことを反映している。

 NAND型フラッシュメモリーのウエハー価格は、1テラバイト(TB)のQLC(クアッドレベルセル)、1TBのトリプルレベルセル(TLC)、512GBのTLCなど主流製品でいずれも下落から横ばいに転じた。