DRAM最大手、南亜科技（ナンヤ・テクノロジー）は5日、南林科技園区（新北市泰山区）の5A新工場で、10ナノメートルの先進製造プロセスや極端紫外線（EUV）露光装置を導入するため、2026～29年に最大3466億台湾元（約1兆7000億円）を投じると発表した。過去最高の投資額だ。27年下半期（7～12月）に稼働し、29年に月産能力を3万5900枚まで引き上げる予定だ。AI（人工知能）時代のDRAM需要が今後も続くとみている表れだ。6日付工商時報などが報じた。
5A工場は、第2～5世代10ナノメートルプロセス（1B、1C、1D、1E）を採用し、南亜科技にとって最も重要な次世代DRAM生産拠点となる。27年下半期に生産を開始し、28年に月産能力を3万枚に、29年には3万5900枚に引き上げる予定だ。その後、市場の需要に応じて増産する。
南亜科技は、5A工場は最大4万5000枚を生産できると説明した。投資額は160億米ドルに上る見込みだ。
南亜科技は、今年の設備投資を697億元へと、34％引き上げる。
業界関係者は、台塑集団（台湾プラスチックグループ、FPG）傘下で安定経営の南亜科技にとって、過去最大の投資だと指摘した。受注が確実で、メモリー供給不足や大幅値上げが今後も続くシグナルだと分析した。
■Q2純利益、前期の2倍に
南亜科技が5日発表した第2四半期（4～6月）の連結売上高は825億4900万元で、前期比68.2％増加、前年同期の7.8倍となった。純利益は501億9200万元で、前期比92.6％増加した。前年同期は赤字だった。
上半期（1～6月）の連結売上高は1316億3600万元で前年同期の7.4倍、純利益は762億5200万元だった。前年同期は赤字だった。
あるサプライヤーは、メモリー大手の韓国のサムスン電子、SKハイニックス、米マイクロン・テクノロジーがAI向けの超高速DRAM、HBM（高帯域幅メモリー）やDDR5に生産を集中したことで、南亜科技がDDR4市場で最も価格決定権があると指摘した。
