ファウンドリー最大手、台湾積体電路製造（TSMC）とオランダの半導体製造装置大手、ASMLは8日、EUV（極端紫外線）リソグラフィー向けフォトマスクのサイズを現在の6インチから12インチに拡大する計画を発表した。またTSMCは、30年からASMLの高NA（高開口数、High-NA）EUV露光装置を先進製造プロセスに導入する考えを示した。31年までに12インチのフォトマスクのパイロット（試験生産）ラインを設置し、33年には12インチのフォトマスクを使う高NA EUV露光装置を次世代先進製造プロセスの量産に対応させる計画だ。9日付経済日報などが報じた。
TSMCは、AI（人工知能）向け半導体のトランジスタ構造が複雑化する中、高NA EUV露光装置が必要となる工程が増えると説明した。フォトマスクを12インチに拡大することで、生産効率の向上とコスト削減を実現し、AI需要の拡大に対応すると説明した。
業界関係者によると、高NA EUV露光装置は1台当たり3億8000万〜4億1000万米ドルかかる。初代のEUV露光装置の2倍で、過去最高の価格だ。
TSMCの魏哲家（シーシー・ウェイ）董事長は6月の株主総会で、ASMLの高NA EUV露光装置を購入したことを認めたが、調達台数は明かさなかった。
■A10以降で採用か
TSMCのロードマップによると、28年はA14（1.4ナノメートル相当）で量産し、29年にA13（1.3ナノに相当）と、バックサイド・パワーレール（裏面電源配線）を採用するA12（1.2ナノ相当）で量産する予定だ。TSMCはどの製造プロセスに高NA EUV露光装置を導入するか公表していないが、A10（1ナノ相当）以降の次世代製造プロセスになるとみられている。
業界関係者は、半導体製造はオングストローム（1オングストローム＝0.1ナノ）世代に入り、配線幅の微細化が進む中、露光技術の重要性は高まっていくと説明した。ASMLとの提携で、TSMCは次世代製造プロセスの開発を推進し、ファウンドリー首位の座を守ると予測した。
■サムスンやインテルも
サムスン電子は、28年までに高NA EUV露光装置をDRAMの生産に導入する計画だ。
インテルはファウンドリー事業で、既に高NA EUV露光装置を生産に導入した。
