12日付聯合報によると、ファウンドリー最大手、台湾積体電路製造（ＴＳＭＣ）は、８月に３ナノメートル製造プロセスの第２世代「Ｎ３Ｂ」の量産を、新竹科学園区（竹科）と南部科学園区（南科）で開始することを決定したようだ。ライバルのサムスン電子は、ゲート・オール・アラウンド（ＧＡＡ）技術を採用する３ナノの歩留まり率が改善せず、上半期の量産計画が遅れる可能性が指摘されている。

竹科の12インチウエハーＢ工場（ＴＳＭＣ提供）

　ＴＳＭＣの３ナノは立体構造トランジスタ（FinFET）技術を採用している。ＴＳＭＣが北部と南部で同時に同一プロセスの量産を開始するのは初めて。

　サプライチェーン関係者によると、月産能力は竹科Fab12研究開発（Ｒ＆Ｄ）センター第８期工場が１万～２万枚、南科のFab18Ｂ第５工場は１万5,000枚を計画している。

　竹科では、米半導体大手、インテルのコアプロセッサー向けを、南科では、主にアップルのノートパソコン「MacBook（マックブック）」やタブレット端末「ｉＰａｄ（アイパッド）」の次世代プロセッサーを生産するようだ。

24年５万枚に倍増へ

　ＴＳＭＣは、2023年に３ナノ第３世代「Ｎ３Ｅ」の量産を開始し、Ｎ３Ｂを合わせた３ナノの月産能力が計５万枚に倍増する計画のようだ。顧客はアップルやインテルのほか、クアルコムなど大手とみられている。

　サプライチェーン関係者は、ＴＳＭＣは３ナノプロセスのボトルネック除去で、２ナノプロセス開発も加速すると予測した。

　ＴＳＭＣは14日に業績説明会を開催する予定だ。今年６月の技術フォーラムで進捗（しんちょく）を発表するとの見方もある。

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