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TSMCが新設備を導入、22ナノ以下プロセス開発に


ニュース 電子 作成日:2008年10月14日_記事番号:T00010868

TSMCが新設備を導入、22ナノ以下プロセス開発に

 
 台湾積体電路製造(TSMC)は13日、蘭マッパー・リソグラフィから、22ナノメートル以降の製造プロセス開発や部品の試作用に電子ビーム直描技術を活用した初の12インチウエハー対応マスクレス露光装置を購入する契約を交わしたと発表した。14日付経済日報が報じた。

 TSMCは22ナノ世代プロセスのリソグラフィー技術として、ダブルパターニングや極端紫外線(EUV)技術を用いた研究開発(R&D)も行っており、電子ビーム直描技術は選択肢の一つに過ぎないことを強調した。

 同社はコストパフォーマンスの高い22ナノ以降の集積回路(IC)製造を目標としており、マッパー・リソグラフィのソリューションを導入することで、これを実現できるかが試される。

 現在、インテルやIBMはEUV技術を支持しているが、電子ビーム直描技術は高価なフォトマスクが不要になるため、低コストで多種少量生産を実現することが期待されている。