電気自動車（EV）や低軌道（LEO）衛星などに使われる、炭化ケイ素（SiC）や窒化ガリウム（GaN）を使用した化合物半導体（第3世代半導体）は主に、欧米、日本のIDM（垂直統合型）メーカーが主導し、台湾メーカーに委託している状況だ。SiC基板は日米のメーカーが9割を出荷しているが、台湾でも▽環球晶円（グローバルウェーハズ、GWC）、▽漢民科技（エルメス・エピテック）、▽広運機械工程（ケンメック・メカニカル・エンジニアリング）──がグループで注力している。10日付工商時報などが報じた。

　第3世代半導体関連の主な台湾メーカーは、基板は▽GWC、▽漢磊科技（エピシル・テクノロジーズ）、▽盛新材料（タイシック・マテリアル）──で、製造は▽台湾積体電路製造（TSMC）、▽聯華電子（UMC）、▽TSMC傘下の世界先進積体電路（VIS、バンガード・インターナショナル・セミコンダクター）、▽晶成半導体（ユニコーン・セミコンダクター）、▽積亜半導体（プロアジア・セミコンダクター）──などだ。世界の生産額の5割を台湾メーカーが創出している。

　漢民科技は、傘下の嘉晶電子（エピシル・プレシジョン、EPI）が結晶成長を行い、漢磊科技がファウンドリーを担う。ケンメックも、自社でSiC結晶成長炉を製造し、孫会社の盛新材料科技が結晶成長を担う。

　海外のIDMは、▽ローム、▽オン・セミコンダクター、▽テキサス・インスツルメンツ（TI）、▽STマイクロエレクトロニクス、▽インフィニオン、▽NXP、▽ルネサスエレクトロニクス──など。

材料の奪い合いも

　業界関係者によると、SiCやGaNを使用する第3世代半導体は、シリコン（Si）半導体と比べ、高温・高電圧でも動作し、電力損失が少ない。GaNは900V（ボルト）以下、SiCは1200V以上に適している。第3世代半導体の使用で、電動車の急速充電や長距離走行、軽量化などが実現できる。

　市場調査会社、集邦科技（トレンドフォース）の予測によると、第3世代半導体の21年生産額は9億8000万米ドルで、25年には47億1000万米ドルまで増加し、年平均成長率（CAGR）48％が見込まれる。

　国際エネルギー機関（IEA）の予測によると、今年の電動車（新エネルギー車）出荷台数は前年比35％増の1400万台となる見通しだ。SiCの供給不足で、メーカー間の奪い合いが起こりそうだ。

　ガリウムの9割近くを生産する中国は先日、8月1日からガリウムなどの輸出を規制すると発表した。自動車大手、仏ルノーは、電動車にとってチャイナリスクだと指摘した。

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