生成AI（人工知能）ブームで超高速DRAM「HBM（高帯域幅メモリー）」需要が急増する中、米メモリー大手、マイクロン・テクノロジーは4日、8層（8-High）で24ギガバイト（GB）の「HBM3 Gen2」を台中工場で生産し、2024年第1四半期（1〜3月）から出荷する予定だと明らかにした。台湾積体電路製造（TSMC）の先進パッケージング（封止）技術、チップ・オン・ウエハー・オン・サブストレート（CoWoS、コワース）で統合する。5日付電子時報などが報じた。

盧・董事長（右）は、マイクロンは台湾でDRAMの65％を生産していると説明した（4日＝中央社）

　マイクロンの台湾子会社、台湾美光記憶体（マイクロン・メモリー台湾）は4日、メディア懇談会を開催した。盧東暉・董事長は、HBM3 Gen2は、日本で昨年10月に量産を開始した1β（ベータ）ナノメートルの製造プロセスを採用すると説明した。

　アクシャイ・シング副総裁は、マイクロンは台湾で既に19年にHBM部門を立ち上げていたが、最近のChatGPT（チャットGPT）ブームで、AIが広く知られるようになったと指摘した。市場調査会社の予測によると、HBM市場の22〜25年の年平均成長率（CAGR）は50％以上で、マイクロンのHBMのビット換算出荷量はシェア10％と予想した。

　シング副総裁は、続いて12層で23ギガバイトの「HBM3e」もリリースする計画だと明かした。

1ガンマ、25年量産へ

　マイクロンは、次世代1γ（ガンマ）ナノメートルの製造プロセスは、25年上半期（1〜6月）に台中工場で量産する計画だ。従来予定していた24年下半期から延期した。

　盧・董事長は、最新技術は不確定要素が多く、スケジュールの確定が難しいが、DRAM上位3社はいずれも25年上半期を目標としていると説明した。

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