聯華電子（ＵＭＣ）は27日、28ナノメートルプロセス技術によるＳＲＡＭ（記憶保持動作が不要な随時書き込み読み出しメモリー）チップの試作に成功したことを発表した。28日付工商時報が報じた。
ＵＭＣによると、同チップは低リーク電流プロセスを採用し、液浸リソグラフィーを利用したダブルパターニングで製作された。６トランジスタのＳＲＡＭで大きさは約0.122平方ミクロンだ。素材はHigh-k／メタルゲートおよびシリコン酸窒化膜（ＳｉＯＮ）の２種類を提供できる。
同社は現在、12インチ工場で40ナノプロセス製品の量産を行っており、28ナノはその２倍近い高密度となる。同社は今後、28ナノプロセス向けプラットフォームを確立し、32ナノプロセスの提供も行う予定だ。今回の発表は業界内で、ＵＭＣが28ナノプロセスをフルノード技術とすることを示唆するものだとみられている。
