ファウンドリー最大手、台湾積体電路製造（TSMC）は8日、米国アリゾナ州に第3工場を建設すると発表した。第2工場は2028年に2ナノメートルで生産を開始し、第3工場は29～30年に、2ナノか2ナノ以降の先進プロセスで生産する予定だ。TSMCにとって台湾以外で、最先端の製造プロセスとなる。9日付経済日報などが報じた。

　TSMCは、アリゾナ第1工場は計画通り、25年上半期（1～6月）に4ナノで生産を開始すると説明した。第2工場は、予定していた3ナノのほか、28年にナノシートトランジスタ構造の2ナノで生産する予定だ。第3工場は21世紀の20年代末（29～30年）に、2ナノか2ナノ以降の先進プロセスで生産を開始する予定だ。

　台湾では、新竹科学園区（竹科）宝山工場と高雄工場で、25年に2ナノで量産する計画だ。TSMCは、グラフィックスプロセッサー（GPU）大手、米エヌビディアの4ナノ製品や、アップルのスマートフォンiPhone向け3ナノ製品など、最先端の製造プロセスは台湾で生産している。

　アリゾナ工場は、第3工場の稼働後、先進プロセス半導体の世界市場シェア20％を占める見込みだ。

補助金66億ドル

　TSMCは同日、米商務省とTSMCアリゾナが、米国のCHIPS・科学法（通称・CHIPS法、チップス法）に基づき、最高66億米ドルの補助金を受ける予備的覚書（PMT）に署名したと発表した。米国政府から50億米ドルの融資枠と設備投資に対する25％税優遇措置も受ける。

　TSMCの米国投資は第3工場建設を合わせると650億米ドルとなり、従来の400億米ドルより62.5％増加する。

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