半導体サプライチェーン（供給網）関係者によると、ファウンドリー最大手、台湾積体電路製造（TSMC）は、半導体の微細化に欠かせないとされる、オランダの半導体製造装置大手、ASMLの高NA（開口数）EUV（極端紫外線）露光装置を、9月末までに設置する予定だ。TSMC初の高NA EUV露光装置となる。1号機は実験用で、新竹科学園区（竹科）宝山用地（新竹県宝山郷）の研究開発（R＆D）センターに設置する。製造に使用するのは、早ければ2028年ごろに稼働予定の1.4ナノメートル製造プロセス（A14）強化版（A14Pなど）となるようだ。10日付電子時報などが報じた。

　TSMCとASMLは9日、コメントを控えた。

　業界関係者によると、高NA EUV露光装置は精密かつサイズが大きいため、現在、台湾までや竹科までの輸送方法を検討しているところだ。当初は、年末に到着すると予想されていた。

　TSMCの張暁強（ケビン・ジャン）副共同営運長（共同最高執行責任者、Co-COO）は先月、年内に高NA EUV露光装置を調達し、生産には使用せず、提携パートナーとの研究に使用すると語っていた。また今年5月時点で、26年下半期（7〜12月）に稼働予定の1.6ナノメートル製造プロセス（A16）には、高NA EUV露光装置を使用しないと説明していた。

　これらの発言から、サプライチェーン関係者は、TSMCは早ければA14Pで高NA EUV露光装置を使用し、1ナノプロセス（A10）以降の先進プロセスに全面的に導入すると予測した。

TSMC、価格交渉成功か

　ASMLの高NA EUV露光装置は、1台3億5000万ユーロ（約550億円）以上とされる。情報筋によると、TSMCはASMLとの価格交渉で、1号機の15％のディスカウントに成功した上、ASMLが技術者の教育、保守メンテナンス、部品交換などを支援し、共同の研究開発費を大幅に引き上げる条件を引き出したという。ASMLは、TSMCの高NA EUV露光装置の調達計画を早めたい考えのようだ。

　インテルは今年4月に、米オレゴン州ヒルズボロの研究開発拠点に、業界初の高NA EUV露光装置を設置したと発表した。27年に1.4ナノ相当の「14A」プロセスに高NA EUV露光装置を導入する予定と説明した。

　最近、インテルは設立以来、最大の危機に陥っている。今年8月1日には、2四半期連続の赤字を受け、従業員の15％に当たる1万5000人を削減すると発表した。コスト削減計画には、ファウンドリー事業「インテル・ファウンドリー・サービシズ（IFS）」の分離（スピンオフ）や売却が含まれる可能性があると報じられており、今後の先進プロセス投資が懸念されている。

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