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作成日：2008年11月26日_記事番号：T00011860
ＵＭＣ、ゲート形成技術でＴＳＭＣ猛追
聯華電子（ＵＭＣ）は25日、高誘電率ゲート絶縁膜（High-k、ＨＫ）とメタルゲート（ＭＧ）と呼ばれる最先端のゲート形成技術が、45ナノメートルＳＲＡＭの製品合格率認証に合格したと発表した。32ナノメートル、28ナノメートルの製造プロセスにも2010年をめどに応用し、台湾積体電路製造（ＴＳＭＣ）との技術格差を縮めたい構えだ。
ＴＳＭＣも９月に同様の新技術がＳＲＡＭの製品合格率認証に合格したと発表し、32ナノメートル、28ナノメートルの製造プロセスに投入する方針を示していた。同社は28ナノメートル技術で2010年前半の製品化を見込んでいる。
ゲート形成技術の高度化は、グラフィックＩＣ，応用プロセッサー、高速通信用チップなどの開発に不可欠で、32ナノメートル以下のチップ受託生産に向けた両社の競争は激しさを増している。
