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UMC、高性能40ナノ技術で出荷開始


ニュース 電子 作成日:2009年4月9日_記事番号:T00014630

UMC、高性能40ナノ技術で出荷開始

 
 聯華電子(UMC)は8日、高性能40ナノメートル製造プロセスを利用した受託生産を開始したと発表した。既にエンドユーザーのサンプル用として大量出荷が始まっており、複数企業から45、40ナノメートルのチップ設計を受注しているという。

 40ナノメートル製造プロセスで生産した半導体チップは、ゲート絶縁膜の厚さが異なる3種類のトランジスタをチップ内で使い分けるトリプル・ゲート・オキサイドと呼ばれる構造などを採用し、65ナノメートル製造プロセスの製品と比べ、電力消費量が65%少なく、集積度が2倍以上向上したのが特徴。

 ファウンドリー各社は相次いで45、40ナノメートル製造プロセスへの移行を進めており、台湾積体電路製造(TSMC)は年末までに同プロセスが占める売上高比率を10%まで高めるとしているほか、中国の中芯国際集成電路製造(SMIC)、シンガポールのチャータード・セミコンダクターも年内の量産を見込んでいる。

 なお、UMCの3月売上高は45億4,100万台湾元(約134億円)で、前月比44.45%増、前年同月比46.56%減だった。第1四半期の売上高は108億3,800万元で、前期比41.5%減。