18日付経済日報が外電の報道に基づいて伝えたところによると、サムスン電子は今年下半期、ＤＲＡＭとＮＡＮＤ型フラッシュメモリー技術の研究開発（Ｒ＆Ｄ）に最低１兆ウォン（約７億9,000万米ドル）を出資する予定だ。世界最大手で、財務状態も良好な同社が積極的に技術投資を行うことで、資金調達に苦慮する台湾勢はさらなる試練を迎えることとなる。
サムスンが投資を予定しているのは40ナノメートル製造プロセスによるＤＲＡＭ、および30ナノプロセスによるＮＡＮＤ型フラッシュメモリーの開発とみられる。報道によると、権五鉉（クォン・オヒョン）半導体総括社長は、下半期に投資を拡大する計画があると認めたものの、現段階で依然メモリー業界は低迷期を脱しておらず、生産能力拡大には慎重な態度で臨むと語った。
一方、台湾メーカーでは台塑集団（台湾プラスチックグループ）傘下の南亜科技と華亜科技（イノテラ・メモリーズ）が増資計画の実施で積極的に製造プロセスのアップグレードを図っているが、力晶半導体（ＰＳＣ）や茂徳科技（プロモス・テクノロジーズ）などその他のメーカーは苦しい財務状況が続いており、新技術の開発まで手が回らないのが現状だ。
