台湾積体電路製造（ＴＳＭＣ）は24日、28ナノメートル技術で省電力型の高誘電率膜／金属ゲート（ＨＫＭＧ）プロセス（通称・28ＨＰＬ）による試験生産を来年第３四半期から開始する計画を明らかにした。25日付工商時報が伝えた。
ＴＳＭＣは昨年９月に28ナノメートル技術を発表し、ライバル各社に先駆け、低電力シリコン酸窒化プロセス（通称・28ＬＰ）を採用した試験生産を来年第１四半期から、高効率の高誘電率膜／金属ゲートプロセス（28ＨＰ）による試験生産を来年第２四半期からそれぞれ開始する方針を示していた。
ＴＳＭＣはまた、28ナノメートル製造プロセスによる64メガビット仕様のＳＲＡＭ３種の良品率認証が完了したことを明らかにした。ＩＣ業界では既にエヌビディア、クアルコム、アルテラ、アドバンスト・マイクロ・デバイセズ（ＡＭＤ）がＴＳＭＣの28ナノメートル製造プロセスを採用することを決定している。
