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作成日：2009年9月14日_記事番号：T00017906
台湾ＤＲＡＭ滅亡計画、サムスンに推進の余裕なし
韓サムスン電子は現在、米アップルからＮＡＮＤ型フラッシュメモリーの追加発注が相次いでいることに加え、今後携帯電話の搭載メモリー大容量化が進むとみられることから、同製品の製造に集中している。これにより、同社が台湾ＤＲＡＭ業界に打撃を与えることを目的に続けてきた意図的な価格抑制戦略、いわゆる「台湾ＤＲＡＭ滅亡計画」を推進する余裕がなくなっており、台湾メーカーに安堵（あんど）感が広がっている。14日付電子時報が報じた。
業界関係者によると、サムスンは今後もＮＡＮＤ型フラッシュメモリーの生産能力拡充を優先するとみられるが、同製品の生産ラインはＤＲＡＭ生産への転用が不可能なため、当面サムスンがＤＲＡＭ市場をかく乱する可能性は低いとみられる。
ＤＲＡＭスポット価格はこのところ安定して上昇を続けており、１GB（ギガバイト）製品は９月上旬、７～８％上昇して1.7米ドルとなっている。
