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作成日：2009年10月7日_記事番号：T00018406
「40ナノＮＡＮＤで再起図る」、力晶・黄董事長
ＤＲＡＭ大手、力晶半導体（ＰＳＣ）の黄崇仁董事長は６日、来年中に自前の技術によって40ナノメートル製造プロセスの16ギガバイト（GB）ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーを出荷することを明らかにした。ＤＲＡＭとＮＡＮＤフラッシュを生産、受託製造も行う初の台湾メモリー業者となり、黄董事長は「財務状況も徐々に改善しており、当社の再起に強い自信を持っている」と力説した。７日付経済日報が伝えた。
同社のＮＡＮＤフラッシュ技術は、最大手サムスン電子と半～１世代差に迫り、２位のハイニックスと同レベルに達しているという。今後、景気動向に応じてＤＲＡＭ、ＮＡＮＤフラッシュ、受託製造の３分野で生産配分の調整を行い、企業体質を強化する構えだ。
黄董事長はまた、「当社にとって最悪の時期は過ぎた」と述べ、今後２年はメモリー業界にとって良い時期が続くとの見通しを示した。上昇が続くＤＲＡＭ価格については、「2.5米ドルまで上がる可能性がある」と語った。その上で、「業界でこれまで大幅な減産が行われたため、短期内に生産能力を全面回復させることは難しく、当面供給不足が続く」との見方を示した。
