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作成日：2009年10月13日_記事番号：T00018521
力晶・レックスチップ、40ナノプロセス導入へ
エルピーダメモリが先ごろ、回路線幅40ナノメートルの２ギガビットＤＤＲ３ ＳＤＲＡＭの開発を完了し、年内に量産を開始するとの予定を発表したことを受けて13日付経済日報は、同社と提携関係にある力晶半導体（ＰＳＣ）および瑞晶電子（レックスチップ・エレクトロニクス）も40ナノプロセスを導入することになり、コスト競争力が大幅に向上すると報じた。また、エルピーダ陣営に属するパッケージング・テスティング（封止・検査）の力成科技（パワーテック・テクノロジー）も恩恵を受ける見通しだ。
エルピーダによると、40ナノＤＤＲ３ ＳＤＲＡＭは、50ナノ製品に比べウエハー当たりのチップ取得数が44％増加するほか、転換投資の面でも、力晶が現在主力とする65ナノプロセスから50ナノへの移行に比べ優位となっている。その上で同社は、今後市況の変化を見て台湾への技術供与の内容を決定していくとしている。
