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作成日：2009年10月28日_記事番号：T00018862
ウィンボンド、今年の設備投資を７割引き上げ
標準型ＤＲＡＭからの撤退を決めている華邦電子（ウィンボンド・エレクトロニクス）は27日、ニッチ型メモリー市場での来年の展開強化に備え、今年度の設備投資額を予定していた31億台湾元から52億元（約147億円）へ約70％増額すると発表した。主に65ナノメートル製造プロセスにおける生産比重の拡大に投じる方針だ。同プロセスによる生産能力はウエハー投入枚数で現在8,000枚だが、来年第２四半期には１万6,000枚まで引き上げる予定だ。28日付電子時報が報じた。
業界関係者によると、現在標準型ＤＲＡＭおよびＮＡＮＤ型フラッシュメモリ価格は上昇し続けており、これら製品に注力するサムスン電子とハイニックス半導体は、ニッチ型製品市場へ手が回らない状態だという。ウィンボンドはこれを好機ととらえ、来年の同市場での展開に備えて生産能力の強化に全力で当たる。
ウィンボンドの今年第３四半期の業績は、売上高が前期比36％増の56億9,400万元、純損失が９億8,300万元。第１～３四半期累計では売上高130億2,500万元、純損失89億5,500万元となった。
