中堅ＤＲＡＭメーカー、華邦電子（ウィンボンド・エレクトロニクス）は、日本のＤＲＡＭ専業メーカー、エルピーダメモリとの提携範囲を70ナノメートル、50ナノメートルのグラフィックスＤＤＲだけでなく、40ナノメートル製品にも拡大していく方針だ。23日付工商時報が伝えた。
エルピーダはこのほど広島工場で「40nmプロセス２ＧビットＤＤＲ３ ＳＤＲＡＭ」の量産を開始した。エルピーダは広島工場のほか、同社と提携先の力晶半導体（ＰＳＣ）が合弁で運営する瑞晶電子（レックスチップ・エレクトロニクス）での増産を図る方針だ。また、ウィンボンドに対し40ナノメートル技術を供与することも決めた。
今回の提携拡大を受け、ウィンボンドとエルピーダの関係は、グラフィックスＤＤＲの生産だけでなく、標準型ＤＲＡＭ、高付加価値ＤＲＡＭ、携帯電話用メモリーなどに拡大する見通しとなった。
