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作成日：2010年2月1日_記事番号：T00020727
ウィンボンド、40ナノ導入を宣言
メモリー大手が相次いで40ナノメートル製造プロセスの導入を決める中、中堅ＤＲＡＭメーカー、華邦電子（ウィンボンド・エレクトロニクス）の詹東義総経理は、「今年は40ナノプロセスの研究開発と人材に資金を投じる」と表明し、既に液浸スキャナーを発注したことを明らかにした。ただ、同プロセスでエルピーダメモリから技術供与を受けるかについてはコメントせず、「いくつかのプランを検討中」とのみ説明した。１日付電子時報が報じた。
同社の昨年通年の売上高は195億3,300万台湾元（約550億円）で、純利益は86億1,300万元だった。なお、今年の設備投資は40ナノ導入を含め67億元で、前年比50％の大幅増となる。
同社の製品比率は現在、▽ニッチ型メモリー、41％▽標準型メモリー、25％▽ＮＯＲ型フラッシュメモリ、18％▽モバイルＲＡＭ、16％──となっているが、今後は引き続き標準型メモリーの比重を下げていく計画だ。詹総経理は「第１四半期はＮＯＲ型フラッシュメモリおよびモバイルＲＡＭの需要が非常に強い」とした上で、高度画像処理ＤＲＡＭ（ＧＤＤＲ）で70ナノプロセスの出荷が始まり、同社のニッチ型メモリーへの転換および粗利益向上戦略は順調に進んでいると強調した。
