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作成日：2007年8月14日_記事番号：T00002092
力晶、65ナノプロセス早期導入か
14日経済日報によると、日本最大手のＤＲＡＭ（記憶保持動作が必要な随時書き込み読み出しメモリー）メーカー、エルピーダメモリが、来年３月までに標準型メモリ生産に65ナノメートル製造プロセスを導入すると発表したことに伴い、同社と提携関係にある力晶半導体（ＰＳＣ）も同時に最先端技術を導入できると見込まれ、生産時間の短縮とコスト削減に期待がかかる。
集邦科技（ＤＲＡＭエクスチェンジ）の統計によると、今年第２四半期の世界のＤＲＡＭ市場シェアは、依然サムスン電子がトップで27.2％。「エルピーダ・力晶連合」は15.8％で４位だ。力晶の予測では、65ナノ製造プロセスは70ナノに比べ15％生産量を高めることができ、これによりサムスンとの差を詰めることが期待できるという。
現在力晶のウエハー月産量は約11万枚で、年末には13万枚まで向上する。力晶とエルピーダが合弁で運営する瑞晶電子 （レックスチップエレクトロニクス）の月産３万枚を合わせると、３社の合計月産量は25万枚に達し、シェアは３割を超えて世界トップとなる。
