台湾積体電路製造（ＴＳＭＣ）は22日、オランダの半導体製造装置メーカー、ＡＳＭＬから超紫外線（ＥＵＶ）露光技術を使ったリソグラフィー（露光）装置「TWINSCAN NXE：3100」を導入すると発表した。23日付工商時報などが伝えた。
同装置は極めて波長の短い超紫外線を用いて、シリコンウエハーに微細な回路イメージを焼き付けることが可能で、22ナノメートル以下の微細な回路線幅による半導体製造技術に応用が見込まれる。今回導入する装置は、新竹科学工業園区（竹科）の12インチウエハー工場に設置される。半導体ファウンドリー業界でＥＵＶリソグラフィー装置を導入するのは初めて。
ＴＳＭＣは現在量産している40ナノメートルの製品に続き、年内に28ナノメートルの製品を試験生産する構えだが、いずれもダブルパターニングと呼ばれるリソグラフィー技術を採用している。同社は当初、22ナノメートル以下の製造プロセス開発にマスクレス・リソグラフィー技術の採用を有力視していた。しかし、サムスン電子、東芝、ハイニックス半導体などのライバル企業がＥＵＶ技術で2０～30ナノメートル世代の技術開発に成功したことを受け、ＴＳＭＣも追随を決めた。
