ＤＲＡＭ大手、力晶半導体（ＰＳＣ）は９日の董事会で、今年度の設備投資額を100億～110億台湾元（約280億～310億円）とする計画を承認した。設備投資がほとんどゼロだった昨年に比べ大幅な増加となる。主に45ナノメートル製造プロセスへの移行に投じる予定だ。10日付工商時報が伝えた。
工商時報によると、今年は力晶が出資する瑞晶電子（レックスチップエレクトロニクス）が120億元、提携先のエルピーダメモリが600億円を予定しており、エルピーダ陣営３社の設備投資総額は約432億元と、近年で最高水準に達している。
ＤＲＡＭ業界では、製造プロセスの微細化競争激化に従い投資額を拡大させており、42ナノメートルを前倒しで導入する台塑集団（台湾プラスチックグループ）傘下の華亜科技（イノテラ・メモリーズ）は当初、今年の設備投資を420億元としていたが、これを業界最高の520億元に上方修正、同じく台プラ傘下の南亜科技は190億元を予定しているものの、200億元を超える可能性が高いとみられる。
