ニュース
電子
作成日：2010年4月8日_記事番号：T00021991
力晶40ナノＮＡＮＤフラッシュ、下半期に出荷へ
力晶半導体（ＰＳＣ）の黄崇仁董事長は７日、同社が独自開発を進めるＮＡＮＤ型フラッシュメモリーについて、40ナノメートル製造プロセス製品を下半期にも出荷できるとの見通しを示した。特殊な設計の製品を主なターゲットとする方針だ。８日付電子時報が報じた。
先ごろＮＡＮＤ型フラッシュメモリーでルネサステクノロジとの合弁を解消し、同事業を引き継いだ力晶は、台湾では同製品の技術を保有する数少ないメーカーだ。しかし、サムスン電子、ハイニックス、東芝の技術が32ナノプロセスまで進んでいるのに対し、力晶の現在の主力は70ナノとなってる。
ただ、同社は既に50ナノ製品の開発を終え、さらに40ナノについても量産のめどが立っており、黄董事長は「40ナノの出荷が始まれば、サムスンとの差は１世代まで縮まる。これは台湾メーカーにとってＮＡＮＤフラッシュ市場で発展する唯一のチャンス」と意気込みを示した。
