ニュース
電子
作成日：2010年5月12日_記事番号：T00022693
ニッチメモリーの力積電子、Ｑ２に70ナノ大規模導入
ニッチ半導体メモリー設計、力積電子（ゼンテル・エレクトロニクス）の陳正坤董事長によると、同社は現在、製造プロセス技術で主力の90ナノメートルから70ナノへの移行を進めており、第２四半期には同プロセスによる128メガビット（Mb）、256Mb製品の比重が大幅に拡大する見通しだ。同期は半導体受託生産価格の上昇が緩和する一方、製品販売価格は従来と同様の上昇幅が持続する見通しのため、同社はプロセス移行によるコスト低減と合わせ、粗利益率が15～20％に改善すると見込んでいる。12日付電子時報が報じた。
陳董事長によると、半導体産業の景気回復に伴い、メモリー業界でも生産能力が不足し、第１四半期は受託生産価格が50％上昇した。これに対し同期のニッチメモリー価格は10～30％の上昇にとどまり、力積電子の同期粗利益率は15.84％と、昨年第４四半期の19.92％から大幅に低下した。
しかしメモリーの生産能力不足は現在をピークに今後解消に向かうとみられ、さらにニッチ製品では容量拡大や使用量の倍増が見込まれるとして、陳董事長は今後の見通しを楽観している。
