21日付経済日報によると、ファウンドリー大手、聯華電子（ＵＭＣ）は21日、ＤＲＡＭ世界３位のエルピーダメモリ、パッケージング・テスティング（封止・検査）大手の力成科技（パワーテック・テクノロジー）と、３次元実装技術、ＴＳＶ（シリコン貫通電極形成）技術の共同開発で提携することを発表するもようだ。同日付工商時報によると、３社は今後、ＤＲＡＭとロジックＩＣを統合した積層チップの開発を進め、携帯電話、高性能家電、ゲーム機など向けの商機を狙うとみられる。
サムスン電子がＤＲＡＭ、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリー、ロジックＩＣなど異なる種類の半導体を積層したチップを発表して以降、メモリーとロジックＩＣの統合が主流となることは既に確定的な流れとなっている。メモリーとロジックＩＣを一つのチップに積層することで携帯電話やノートパソコンのさらなる設計簡素化、薄型軽量化が可能になるという。
ファウンドリー最大手の台湾積体電路製造（ＴＳＭＣ）、封止・検査最大手の日月光半導体（ＡＳＥ）、同大手の矽品精密工業（ＳＰＩＬ）も関連技術の開発に成功しているため、ＵＭＣは対応に迫られていた。
なお、ＵＭＣとエルピーダが株式を持ち合い、提携関係を強化するとの観測も出ている。
