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作成日：2010年6月22日_記事番号：T00023526
ＵＭＣ・エルピーダ・パワーテック、３次元実装ＴＳＶ技術で提携
ファウンドリー大手、聯華電子（ＵＭＣ）、ＤＲＡＭ世界３位のエルピーダメモリ、パッケージング・テスティング（封止・検査）大手の力成科技（パワーテック・テクノロジー）の３社は21日、３次元実装技術、ＴＳＶ（シリコン貫通電極形成）で、28ナノメートル製造プロセスを含む先進技術の共同開発において提携すると発表した。今後、ＤＲＡＭとロジックＩＣを統合した積層チップの開発を進め、早ければ2012年から量産を開始する。22日付工商時報が伝えた。
ＴＳＶ技術は、ＤＲＡＭとロジックＩＣの垂直接続により、大容量でのデータ転送と消費電力の低減を図れることが利点。孫世偉ＵＭＣ執行長（ＣＥＯ）は提携発表の記者会見で、「同技術を有する当社としてはより多くのビジネスチャンスを期待できる。エルピーダ、パワーテックも、関連製品の設計・開発に参画する」と説明した。
エルピーダは09年、ＴＳＶ技術による８ギガビット（Ｇｂ）ＤＲＡＭの開発に成功している。今後、同技術で製造された積層チップは、携帯電話、高性能家電、ゲーム機など向けに需要が高まるとみられている。
