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作成日：2010年6月25日_記事番号：T00023612
マクロニクス、ＮＡＮＤ型メモリーの技術開発成功
半導体メモリー大手、旺宏電子（マクロニクス・インターナショナル）は24日、主力のＮＯＲ型フラッシュメモリーとは別に、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーの技術開発に成功したと表明した。2014年をめどに量産化を見込む。25日付電子時報が伝えた。
同社が開発したのは、BE－SONOSチャージトラッピングと呼ばれる新技術を採用した３次元構造のＮＡＮＤ型フラッシュメモリー。新技術は記憶素子のトンネル酸化膜を二酸化ケイ素（SiO2）と窒化ケイ素（SiN）の多層構造とすることで、従来のSONOS型に比べてデータ消去速度を高めたのが特長だ。新技術は今後、フローティングゲート技術に代わり、普及が進むとみられる。
ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーは、現在２次元構造が主流だが、今後は３次元構造へと高度化が進むと見込まれる。同社の盧志遠総経理は「ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーの技術周期は12～15カ月だ。２次元構造は10ナノメートル以下の製造プロセスでは持たないと考え、３次元構造の開発を進めた」と説明した。
