ニュース
電子
作成日：2010年6月25日_記事番号：T00023617
ＥＵＶリソグラフィー装置、ＴＳＭＣが来年から導入
25日付電子時報によると、回路線幅が28ナノメートル以下にまで微細化が進んでいる半導体製造プロセスでは、リソグラフィー（露光）技術で主導権を握れば、先進プロセスをリードする地位に立てるとされる。そんな中、ファウンドリー世界最大手、台湾積体電路製造（ＴＳＭＣ）の蒋尚義研究発展シニア副総経理は24日、「20ナノプロセスの2013年導入に向け、超紫外線（ＥＵＶ）露光技術を使ったリソグラフィー装置の１台目が来年納入される」と表明した。
半導体メモリのリソグラフィー技術では、東芝、サムスン電子、ハイニックスがＥＵＶを利用して既に30ナノ、20ナノ世代プロセスの開発に成功しているが、ＴＳＭＣも同技術の研究開発（Ｒ＆Ｄ）に全力を挙げており、オランダＡＳＭＬ社からＥＵＶリソグラフィー装置を購入する世界で６番目の顧客となった。
納入される装置は、新竹科学工業園区（竹科）の12インチウエハー工場「Ｆａｂ12」に設置し、次世代プロセスの開発に利用する計画で、ＴＳＭＣは、ファウンドリーとして世界初のＥＵＶリソグラフィー技術の自社開発を目指す。
