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作成日：2010年7月7日_記事番号：T00023851
パワーチップ、20ナノＮＡＮＤ開発に意欲
力晶科技（パワーチップ・テクノロジー）の黄崇仁董事長は６日、現在ＮＡＮＤ型フラッシュメモリー分野での展開について「現在当社は製造プロセスで海外大手に１世代の後れを取っているが、20ナノメートルプロセスへの移行に成功すれば、台湾のＮＡＮＤフラッシュ開発にとって大きな突破口となる」と述べ、微細化競争への参戦意欲を示した。７日付電子時報が報じた。
パワーチップはかつて、ルネサステクノロジ（当時、現ルネサスエレクトロニクス）が手放したＮＡＮＤフラッシュの技術と特許を引き継ぎ、75ナノプロセスから同分野に参入した。黄董事長によると、同社はＮＡＮＤフラッシュの研究開発（Ｒ＆Ｄ）に過去６年で70億台湾元（約190億円）を投じており、同社が台湾で最も「血統の正しい」技術を有すると自信を示した。
同社のＮＡＮＤフラッシュは下半期に40ナノへの移行を予定しており、今後は国際大手との直接対決を避けて特殊用途向けをターゲットにする構えだ。
