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作成日：2010年7月19日_記事番号：T00024087
エルピーダ、ＮＡＮＤ研究センター設立へ
19日付工商時報によると、エルピーダメモリが、台湾にＮＡＮＤ型フラッシュメモリーの研究開発（Ｒ＆Ｄ）センターを設立する計画だ。現在経済部が計画書を審査中で、設備投資額は50億～60億台湾元（約135億～161億円）に達するもようだ。同分野でも提携先の力晶科技（パワーチップ・テクノロジー）など台湾ＤＲＡＭ業者との協力が見込まれる。
ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーは現在、サムスン電子、東芝、マイクロン・テクノロジー、ハイニックス半導体、インテルの５社で世界シェアの96.8％を占めている。後発のエルピーダは今年３月、米スパンションのＮＡＮＤ型フラッシュメモリーの技術資産を買収して同分野を強化、2011年から量産開始を計画している。
