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作成日：2010年9月20日_記事番号：T00025409
サムスン35ナノ参入、台湾ＤＲＡＭメーカーの競争不利に
韓国・サムスン電子が半導体製造プロセスの微細化ペースを速め、35ナノメートル製造プロセスによるＤＲＡＭの試験生産を第４四半期にも開始する。年末までに生産能力全体の10％で35ナノプロセスを採用するのが目標だ。台湾メーカーは、サムスン電子で競争力で大きく水をあけられ、苦しい競争を強いられそうだ。
20日付電子時報は、台湾の劣勢を「以卵撃石」（卵で石に対抗する）という例えで表現した。台湾メーカーは南亜科技、華亜科技（イノテラ・メモリーズ）がやっと50ナノメートルによる量産を開始した段階で、技術力の差は歴然としているためだ。35ナノプロセスは従来の46ナノプロセスに比べ、半導体の生産コストを約30％低減できる。サムスンの35ナノ本格参入でＤＲＡＭ価格は一段安が予想される。
サムスンが35ナノによる生産比率を全体の50％に高める2011年第３四半期時点でも、台湾メーカーは南亜とイノテラが42ナノでサムスンに対抗することになり、勝負にはならない。
最近のＤＲＡＭ契約価格とスポット価格は、例年需要期に当たるにもかかわらず低迷したままだ。９月の契約価格は10％近く下落した。サムスン電子は来年第１四半期まで半導体市場の供給過剰が続くと予想しており、先安感は根強いのが現状だ。
