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作成日：2010年9月30日_記事番号：T00025614
エルピーダの30ナノ技術、レックスチップに移転
半導体大手のエルピーダメモリは世界最先端となる30ナノメートル台前半の製造プロセスによるＤＲＡＭを12月から量産するのと並行し、台湾子会社の瑞晶電子（レックスチップ・エレクトロニクス）、提携先の力晶科技（パワーチップ・テクノロジー）にも順次技術移転を進める見通しだ。30日付経済日報が伝えた。
これを受け、ＤＲＡＭの生産コストは30％以上低下する見通しで、レックスチップは収益性の大幅な向上が見込まれる。エルピーダ陣営は微細化技術での先行を図り、業界最大手のサムスン電子に対抗していく構えだ。
レックスチップは現在、エルピーダの技術移転で40ナノプロセスによる２ギガビット（Gb）DDR３DRAMの試験生産を完了した段階で、年内に量産を開始する予定だ。パワーチップは、第４四半期のＤＲＡＭ価格は上下10％のレンジで変動し、暴落はないとみている。このため、微細化によるコスト低下効果がＤＲＡＭ価格の下げ幅を上回り、収益力が向上すると判断している。
