エルピーダメモリ傘下のＤＲＡＭメーカー、瑞晶電子（レックスチップ・エレクトロニクス）は13日の董事会で、来年の設備投資額を40億台湾元（約111億円）とすることを決めた。今年比で70％の大幅縮小となる。来年第１四半期に導入する30ナノメートル製造プロセス関連に充てる。14日付電子時報などが伝えた。
来年の設備投資額の減少は、40ナノおよび30ナノプロセスに必要な液浸リソグラフィー装置の調達が今年済んだためだ。同社は「景気や市場動向を見て追加投資が必要か検討する」としている。
同社の生産ラインは、今年末にすべて45ナノへの移行を完了する。来年の設備投資のうち、30億元を12インチウエハーの30ナノ移行に充て、来年下半期には総生産能力の半分に当たる４万枚分を30ナノで生産する計画だ。残り９億元は研究開発（Ｒ＆Ｄ）費用に、１億元はその他の支出に充てる。
なお同社は同日、45ナノの研究開発および機器導入のため８億元の追加投資を決定、今年の設備投資は合計128億元となった。
