半導体メモリーの華邦電子（ウィンボンド・エレクトロニクス）は16日の董事会で、2011〜12年の設備投資額を決定した。投資額は、来年が29億3,800万台湾元、12年が９億3,600万元、２年合計38億7,400万元（約109億円）で、非標準型ＤＲＡＭの46ナノメートル製造プロセス製品およびＮＯＲ型フラッシュメモリーの58ナノ製品の生産能力増強に充てる。17日付工商時報が伝えた。
現在、非標準型ＤＲＡＭは65ナノでの生産が主流だが、来年にはエルピーダメモリから46ナノを導入、良品率の安定を待って、グラフィックカード用など256メガビット（Mb）以上の製品の生産を開始する。ＮＯＲ型フラッシュメモリーは来年、90ナノから58ナノに移行させる。
ウィンボンドは標準型メモリーからの撤退を段階的に進め、現在、全製品のうち95％を非標準型メモリーが占めるに至った。
