ＤＲＡＭ大手、力晶科技（パワーチップ・テクノロジー）は11日、40ナノメートル製造プロセスによる２ギガビット（Gb）ＤＤＲ３の量産を開始し、今四半期中に出荷を始めることを明らかにした。第２四半期からの当初スケジュールを繰り上げた形だ。12日付工商時報が伝えた。
黄祟仁董事長は、「昨年第４四半期に液浸リソグラフィー装置を導入したばかりだが、試験生産が順調だった」と量産に踏み切った理由を説明。下半期には全生産ラインを40ナノに移行し、第４四半期には30ナノでの試験生産に着手する計画だ。
ＤＲＡＭ各社は先進プロセスへの移行を急いでおり、台塑集団（台湾プラスチックグループ）傘下のＤＲＡＭ大手、南亜科技と華亜科技（イノテラ・メモリーズ）は50ナノプロセスへの移行を完了。南亜科技がウエハーベースで月５万枚、イノテラが月13万枚を生産している。
なお１月上旬のＤＲＡＭ契約価格はＤＤＲ３チップで１Gb、２Gbとも６％以上の下落となった。台湾元高もあり、ＤＲＡＭ各社の第１四半期の業績は引き続き厳しくなる見通しだ。
