台塑集団（台湾プラスチックグループ）傘下のＤＲＡＭ大手、南亜科技は、経済部の支援を受け、シリコン貫通電極技術で複数のチップを垂直方向に積層した３次元ＤＲＡＭ（3D−DRAM）の開発に着手する。投資規模は１億台湾元（約２億8,000万円）で、経済部技術処が40％を支援する。25日付工商時報が伝えた。
経済部はこのほど開いた「業界科専計画指導会議」で、南亜科技からの支援申請を認可した。
南亜科技は、これまで積み上げたＤＲＡＭ技術と工業技術研究院（工研院）のシリコン貫通ビア（ＴＳＶ）技術を組み合わせ、高容量の３次元ＤＲＡＭの製品化を目指す。同時に電力消費量が少なく、小型のシリコン貫通電極技術の開発を進める。
同社は年内にも試験的な量産体制に入り、2013年時点で年間10億元の生産額を見込む。13年時点でシリコン貫通電極技術による商品は半導体需要量の４〜５％を占めると予測されている。
