エルピーダメモリは10日、傘下の瑞晶電子（レックスチップ・エレクトロニクス）の研究開発（Ｒ＆Ｄ）拠点で、４Ｆ２メモリセルを使った１ギガビット（Gb）DDR SDRAMの試作に成功したと発表した。
同拠点は昨年からＲ＆Ｄ活動を開始し、４Ｆ２メモリセルを使ったＤＲＡＭの開発を進めてきた。試作品は65ナノメートルのデザインルールを採用している。
４Ｆ２メモリセルは、シリコン基板にビットライン、ワードラインを形成し、縦型トランジスタを用いることで２Ｆ×２Ｆ（Ｆは最小加工寸法）のメモリセルを構築する技術。従来の６Ｆ２メモリセルに比べ、セルサイズを約30％縮小できる。
エルピーダは「４Ｆ２メモリセル技術は信号の保持特性に優れており、動作性能が優れた縦型トランジスタを用いることで、将来ＤＲＡＭの有力な基礎技術になる。消費電流の少ないモバイルＤＲＡＭにも対応できる」と説明した。
エルピーダの坂本幸雄社長は「試作に成功した４Ｆ２メモリセルは、次々世代となる20ナノメートル以降のＤＲＡＭに欠かせない有力な基礎技術の一つだ。その技術開発に取り組み今回の成果へとつなげたことで、将来のＤＲＡＭ業界をけん引するテクノロジーリーダーとしての地位を確立した」と評価した。
