東日本大震災の影響で、メモリー製品のスポット価格が急騰している。14日のスポット価格はＤＲＡＭで6.75～7.29％上昇、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーは東芝の制御ＩＣ工場の操業停止が伝えられたことで、主流の32ギガバイト（GB）ＭＬＣが20.48％上昇した。業界関係者は「14日の市場は『混乱』としか言いようがない。供給側は価格提示をストップしているが、買い手は『言い値で即買い』するほど製品確保に躍起になっている。供給過剰が一夜にして売り手市場になった」と説明した。15日付経済日報が伝えた。
メモリー価格の高騰を受けて台湾では、ＤＲＡＭとＮＡＮＤフラッシュの両方を手掛けるメモリモジュール大手、創見資訊（トランセンド・インフォメーション）、威剛科技（Ａデータ・テクノロジー）の２社が大きな恩恵を受けそうだ。ＮＡＮＤフラッシュ制御ＩＣ大手、群聯電子（ファイソン・エレクトロニクス）も、東芝の代替調達先として受注が拡大する可能性がある。
一方、業界関係者は、1999年の台湾中部大地震発生後、メモリー価格が１週間で２倍にと高騰したことを挙げ、「業界の重要人物が『現在の価格が底値』との見方を示せば、メモリーの激しい奪い合いが起き、上昇幅は99年の地震後を上回る可能性もある」との懸念を示した。
