東日本大震災の影響で、ウエハーやさまざまな化学素材の供給不足が懸念される中、エルピーダメモリ陣営は、製造プロセスを45ナノメートル技術から63ナノメートル技術へと一部切り替える方向で、苦境を乗り切ることを検討している。17日付電子時報が伝えた。
エルピーダ陣営は、一般のシリコンウエハーとは異なるＥＰＩウエハーを採用している。
エルピーダの提携先の力晶科技（パワーチップ・テクノロジー）は、45ナノメートル用ＥＰＩウエハー確保に動いていたが、東日本大震災を受け、ウエハー調達が困難となって生産が中断する事態を懸念し、従来の63ナノメートル技術による生産に急きょ切り替える方針だ。
一方、エルピーダ傘下の瑞晶電子（レックスチップ・エレクトロニクス）は、45ナノメートル技術への転換で先行しており、63ナノメートル用のＥＰＩウエハーに余裕があるため、パワーチップにウエハーを一部提供することを決めた。
