聯華電子（ＵＭＣ）は６日、昨年６月にエルピーダメモリと共同開発を発表した３次元（３Ｄ）積層のシリコン貫通電極（ＴＳＶ）技術を強化するため、傘下の宏宝科技から機器設備を５億6,100万台湾元（約16億5,000万円）で取得すると発表した。製造プロセス28ナノメートル、ＴＳＶ技術によるチップの、2012年の量産開始を目指す。７日付電子時報が報じた。
ＵＭＣは、３次元積層技術開発の宏宝科技を2009年10月に設立し73％を出資していた。しかし、研究開発（Ｒ＆Ｄ）部門と機器設備を自社内に取り込むため、今年２月23日に解散させた。
