エルピーダメモリ傘下の瑞晶電子（レックスチップ・エレクトロニクス）は18日、台湾ＤＲＡＭメーカーとして初めて30ナノメートル製造プロセスによる２ギガビット（Gb）ＤＤＲ３チップのテスト生産に成功したと発表した。陳正坤・同社総経理は、現行の40ナノよりもウエハー当たりの生産量が45％増加するため、大幅なコスト削減が可能と述べた。下半期には全生産ラインを30ナノプロセスに移行したい考えだ。なお同社は今後30ナノプロセスによる４GbＤＤＲ３チップの生産も視野に入れている。19日付経済日報などが伝えた。
レックスチップのほか、力晶科技（パワーチップ・テクノロジー）、南亜科技、華亜科技（イノテラ・メモリーズ）も積極的に30ナノプロセスへの移行を進めており、南亜科とイノテラは年内に同プロセスを導入する計画だ。レックスチップより一足遅い導入となるが、両社は直接、より高い利益が見込める４GbＤＤＲ３チップの生産に入る構えだ。
