ニュース 電子 作成日:2011年4月26日_記事番号:T00029602
26日付経済日報によると、DRAM大手、力晶科技(パワーチップ・テクノロジー)は、NAND型フラッシュメモリー市況を好感し、台湾メーカーの先陣を切って40ナノメートル製造プロセスによる同製品をサンプル出荷した。同社が自社開発した90、70ナノNANDフラッシュでは既に黒字化している。
なお米マイクロン・テクノロジーがこのほど、今後NANDフラッシュ分野で華亜科技(イノテラ・メモリーズ)と提携する可能性があると表明したが、高啓全イノテラ総経理は25日、「DRAMからNANDフラッシュへの生産転換は困難でないが、現在マイクロンと提携協議はしていない」と語った。
業界では、マイクロンとイノテラの提携範囲がNANDフラッシュまで拡大すれば、イノテラは業界で最先端の技術を取得し、インテルの戦略パートナーになるとみられている。さらに、イノテラの月産能力12万枚の一部がNANDフラッシュ生産に振り分けられれば、DRAM供給量が減り、DRAM市場の健全化につながるとも期待されている。
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