韓国・サムスン電子が、ＤＲＡＭの35ナノメートル製造プロセスへの移行を加速させ、同プロセスによる生産比率を今期末に30％、年末には50％までの引き上げを目指す中、南亜科技、華亜科技（イノテラ・メモリーズ）、エルピーダメモリ傘下の瑞晶電子（レックスチップ・エレクトロニクス）など台湾ＤＲＡＭメーカーは、追随に必死の状況となっている。26日付電子時報が伝えた。
南亜科技とイノテラは35ナノプロセスによる量産開始は下半期となる見通し。一方、レックスチップは、38ナノプロセスによる量産を６月にも開始し、年末までには生産比率を50％まで引き上げたい考えだ。
ＤＲＡＭ業界では近年、製造プロセスの微細化ペースが加速しているが、技術的難易度が高まるに従い良品率向上が課題となっている。また、今後20ナノ時代に突入すれば、40ナノ時代に１台10億台湾元（約28億円）だった液浸スキャナーの価格が３倍に跳ね上がるとみられ、費用の面でもＤＲＡＭメーカーは試練に直面すると予想されている。
