エルピーダメモリ傘下のＤＲＡＭメーカー、瑞晶電子（レックスチップ・エレクトロニクス）の陳正坤総経理は26日、６月に30ナノメートル製造プロセスによる量産を開始し、年末までにすべての生産ラインを同プロセスに移行する考えを表明した。同社は既に30ナノによる試験生産を開始しており、第１四半期は４万枚を生産した。移行完了後は月産能力が８万8,000枚となる見込みだ。27日付経済日報が伝えた。
陳総経理は、第３四半期はＤＲＡＭ製品価格の上昇が見込めないものの、30ナノに移行すればＤＲＡＭ１枚当たりのコストを約1.2米ドルまで引き下げられるとの認識を示した。
また、同社は今年50億台湾元（約140億円）を投じ、中部科学工業園区（中科）第２工場に月産能力４万枚規模の生産ライン設置を計画している。既に40億元を投じ、工場棟、電気設備の設置を終えている。
陳総経理はさらに、汎用ＤＲＡＭ以外にモバイルＤＲＡＭにも月産２万枚規模で参入すると語った。
