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TSMC、28ナノの設計インフラ完成


ニュース 電子 作成日:2011年5月27日_記事番号:T00030287

TSMC、28ナノの設計インフラ完成

 台湾積体電路製造(TSMC)は26日、28ナノメートル製造プロセスに対応する設計インフラストラクチャーが完成し、同プロセスを使った89件の設計案件がテープアウトしたことを明らかにした。27日付工商時報が伝えた。

 同社の設計インフラは、自社技術だけでなく他社が持つ技術やアイデアを組み合わせて、革新的な商品を開発する「オープン・イノベーション・プラットフォーム」上に構築された。

 同社はこのほか、近く米サンディエゴで開かれるデザイン自動化会議(DAC)で、顧客向けの設計支援ツール「レファレンス・フロー12.0」と「アナログ/混合信号(AMS)レファレンス・フロー2.0」を発表する。

 TSMCは28ナノメートルプロセスの導入に際し、初めてゲートラスト方式を採用したほか、高誘電率膜/金属ゲート(HKMG)技術も初めて導入した。また、携帯デバイスやタブレット型パソコン向けに高効率、低電力消費の新プロセスを開発し、コア電圧を0.9ボルトまで下げることに成功した。

 TSMCは既に28ナノメートル製造プロセスによる量産を開始しており、第3四半期から利益貢献が見込まれる。