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TSMC、EUV露光技術の共同開発に合流【表】


ニュース 電子 作成日:2011年6月14日_記事番号:T00030617

TSMC、EUV露光技術の共同開発に合流【表】

 台湾積体電路製造(TSMC)はこのほど、日本企業11社が設立した「EUVL基盤開発センター(EIDEC)」が新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)から委託を受け主導する、次世代半導体製造技術、超紫外線(EUV)露光技術を共同開発する国際的な企業連合に加わった。14日付工商時報は「ルネサスエレクトロニクスや東芝など日系IDM(垂直統合型の半導体メーカー)との提携関係が深まり、これらの企業から28、20ナノメートルなど最先端製造プロセスでの受注拡大の可能性が広がる」と指摘した。

 TSMCが現在量産している40ナノ・28ナノプロセスでは、ダブル・パターニングを使う液浸技術を用いている。ただ、インテルが先ごろ2013年下半期から、14ナノプロセスでEUV技術によるテスト生産を開始すると表明したことで、TSMCもこれに追随するとみられている。既に今年、半導体製造装置メーカーのオランダASML社からEUV露光技術を使った装置を購入、ファウンドリーとしていち早く同技術を導入したい方針だ。