29日付電子時報によると、ＤＲＡＭ大手、華亜科技（イノテラ・メモリーズ）は既に今月、12インチウエハー工場で製造プロセスの42ナノメートルへの移行を完了した。なお同社は、30ナノプロセスでも試験生産段階に入っており、来年の量産開始を予定している。その際には製品容量も４ギガビット（Gb）に引き上げ、同社の主力とする考えだ。
ＤＲＡＭ業界では最近、サムスン電子が20ナノ級プロセスによる２GbＤＤＲ３の量産開始を発表。エルピーダメモリも25ナノプロセスによる４GbＤＤＲ３チップの開発に成功したと宣言する中、台湾メーカーは微細化競争で大きく遅れを取っている。しかし、今回の42ナノへの移行完了でイノテラは、製造技術の進化とコスト低減への努力を継続していく構えを示した形だ。
