聯華電子（ＵＭＣ）とエルピーダメモリは22日、銅配線（Cu）低誘電率膜（Low－k）技術を使ったＤＲＡＭ（記憶保持動作が必要な随時書き込み読み出しメモリー）および相変化メモリ（ＰＲＡＭ）の相互授権について合意したと発表した。
エルピーダによると、今回の提携は同社のＤＲＡＭ技術とＵＭＣの高度なCu／Low－kプロセスの融合による先端ＤＲＡＭの開発を目的としている。ＵＭＣはエルピーダへ先端ＤＲＡMの生産に必要なCu／Low－k技術のライセンスを供与し、エルピーダはＵＭＣのＤＲＡＭ混載システム・オン・チップ（ＳｏＣ）に必要なＤＲＡMのライセンスを供与する。ＰＲＡＭ については、エルピーダのＧＳＴ膜に関するノウハウと、ＵＭＣの高性能ＣＭＯＳロジック技術を合わせた共同開発を行う。
エルピーダの安達隆郎ＣＴＯ（最高技術責任者）は今回の提携について、「配線工程にCu／Low-kプロセスを用いることは、当社が開発を進める先端ＤＲＡＭの高性能化（高速化、低消費電力、大容量化）、微細化にとって非常に重要な意味を持つ。また、ＰＲＡＭにおいては当社の持つ相変化材料技術とＵＭＣの高性能ＣＭＯＳ技術の融合により、ＰＲＡＭの実用化・製品化の促進が期待され、幅広いメモリ・ソリューションを顧客に提供することが可能となる」と語っている。
